Tovarna kisika PSA za proizvodnjo polprevodnikov

Čistost kisika:Proizvodnja polprevodnikov običajno zahteva kisik ultra visoke čistosti, ki mora na splošno doseči 99,999 % ali celo več, da se zagotovi kakovost in učinkovitost polprevodniških izdelkov.
Stopnja pretoka kisika:V skladu z obsegom proizvodnje in procesnimi zahtevami proizvodnje polprevodnikov mora kisikova oprema PSA zagotavljati stabilen pretok kisika, da zadosti nenehnemu povpraševanju po kisiku v proizvodnem procesu.
Temperatura rosišča:Vsebnost vlage v kisiku mora biti izredno nizka, temperatura rosišča pa mora biti običajno nižja od - 60 stopinj, da se prepreči škodljiv učinek vlage na proizvodni proces polprevodnikov.
Vsebnost nečistoč delcev:Vsebnost nečistoč v obliki delcev v kisiku mora biti strogo nadzorovana, na splošno mora biti pod 0,1 mikrona, da preprečimo, da bi nečistote v obliki delcev povzročile napake na površini polprevodniških čipov.

Oksidacija je osnovni in kritični korak v mnogih procesnih povezavah proizvodnje polprevodnikov. Na primer, v procesu oksidacije silicijevih rezin je za tvorbo plasti silicijevega dioksida (SiO₂) potreben kisik visoke čistosti. Ta plast silicijevega dioksida se lahko uporablja kot izolacijska plast ali kot maska ​​za nadaljnje procese. Kisik visoke čistosti, ki ga zagotavlja oprema za kisik PSA (običajno s čistostjo do 99,999 % ali celo več), lahko zagotovi natančnost in stabilnost oksidacijske reakcije, tako da ima ustvarjena plast silicijevega dioksida enakomerno kakovost in natančno debelino, kar je zelo pomemben za proizvodnjo visoko zmogljivih polprevodniških naprav (kot so tranzistorji v integriranih vezjih).